1. Gotmic产品规划
目前以GaAs产品为主;
2018年推出D波段(140-170GHz)多功能芯片;
2019年推出GaN PA;
2020年推出3D GaAs产品,大大降低成本。

2. 产品定位:
如果将mmWave芯片按金字塔来描述,
塔尖:军事国防应用
需求量比较小,但要求高性能,不考虑成本,采用GaN,InP等工艺。
美国厂家NG, HRL等,国内CETC 13/55等。
塔底:消费类应用,汽车雷达、手机终端、家庭应用等;
数量巨大,对性能要求不高,对成本非常敏感,要求非常低成本,采用CMOS/SiGe等工艺。
一般是大公司在玩,Intel,ADI,NXP, TI,Infineon等。
塔中间:中等性能要求,中等数量需求。比如毫米波点对点通信,安检成像等,一般选择GaAs工艺,这正是Gotmic重点关注的市场。

3. 毫米波芯片不同工艺比较
GaAs pHEMT,工艺成熟,成本低,适合100GHz以下应用;
GaAs mHEMT,成本较pHEMT高,测试难度大,不过频率更高,NF更低;
InP HEMT,相比GaAs频率更高,NF更低,但是工艺不成熟,无法提供大尺寸Wafer,且衬底太脆,芯片容易断裂,成品率低,成本高。
GaN HEMT: 成本高,但在大功率方面有绝对优势。
4. Gotmic研发3D GaAs产品,大大降低GaAs成本,甚至比CMOS/SiGe还低。
5. 正在研发的D波段Tx、Rx产品。
混频器、倍频器,采用GaAs工艺
PA/LNA,采用InP工艺
考虑SMD封装
6. 采用预失真技术,大大提高PA线性度,可以满足高阶调制要求,目标QAM1024。
7. SMD封装产品
便于大批量生产,降低成本,更适合5G/6G/…….毫米波点对点通信。