毫米波芯片一般都是采用传统的Bonding装配技术，这样可以保证最佳性能，但是对工艺要求高，bonding上细微失误可能性能就出不来。
 
    随着5G应用的开展，设备商对毫米波数据回传提出越来越多的要求，Bonding工艺成本高，不便于大批量生产，无法被设备商采纳，所以SIP（System In Package）技术是一个非常好的选择。

  
图1：传统的金丝键合工艺                                                                  图2：Gotmic SIP评估板

 
Gotmic是一家专注于40-170GHz毫米波商业化芯片的公司，在SIP技术上开展了大量研究，并推出了毫米波SIP相关产品。

1. SMD E Band Tx/Rx
我们可以将其直接做成SMD封装产品，性能最多只有0.5dB的牺牲，这在71-86GHz的毫米波频段非常难得。
GMTX0016,内部GTSC0024, E1 Tx芯片；
GMTX0017,内部GTSC0025, E2 Tx芯片；
GMRX0014, 内部GRSC0017E1 RX芯片；
GMRX0015, 内部GRSC0018E2 RX芯片。

 
图3：E BAND SMD

 
SMD Tx和Rx体积都是15x12x3.75mm，中频IQ和LO本振采用Pin引脚，RF采用WR-12接口。
为了方便客户验证，Gotmic也可以提供评估板，IQ/LO采用SMA头，RF端口从评估板背面提供WR-12标准波导接口。
 

图4：E BAND SMD封装

 
图5：E BAND SMD评估板正反面

 
2. SMD PA产品
这些裸芯片需要金丝键合微组装的，Gotmic同样可以提供SMD的功率放大器产品。GMPA0031/32/35分别对应GAPZ0081/82/85产品，性能同样只有0.5dB左右的牺牲。
 

图6： SMD PA产品

 
SMD功率放大器，可以配合前级SMD GaAs多功能产品使用，也可以作为SiGe/CMOS封装产品的外挂功率放大器。
 

图7：SMD PA与前级芯片组合

 
3. 大功率SIP发射产品
前面介绍了SMD Tx和SMD PA产品，我们也可以将Tx和PA封装在一起，输出功率高达+27dBm，OIP3高达+39dBm。
 
图8：E BAND高功率SIP                                                             图9：E BAND 高功率SIP
 
 
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